7月6日消息，長江存儲存芯超據(jù)媒體報道，首席術(shù)實在2025年北大研究生畢業(yè)典禮上，科學(xué)長江存儲首席科學(xué)家、家國校友霍宗亮作為校友代表發(fā)言，維閃為畢業(yè)生們送上祝福與建議。片技

霍宗亮表示，落后北大自誕生之日起，到趕就肩負(fù)著民族復(fù)興的長江存儲存芯超使命；北大人的血液里，流淌著“家國天下”的首席術(shù)實基因。我們要做的科學(xué)就是不害怕坐冷板凳，不貪求快速的家國回報，在自主研發(fā)的維閃道路上默默奮斗。

在長江存儲的片技這十來年，團(tuán)隊臥薪嘗膽，落后一路披荊斬棘，使我國的三維閃存芯片技術(shù)從無到有，從落后到趕超，實現(xiàn)了跨越式的發(fā)展。

霍宗亮還稱，在任何一個領(lǐng)域，想要取得一番突破性的成就，都要做好吃些苦頭的心理準(zhǔn)備。

據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家集芯片設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲器IDM企業(yè)。

2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。

2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

本文來源：http://www.iv82.cn/news/58e37499567.html

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