7月1日消息，紫光自研最大只元紫光國芯官方宣布，國芯自主研發(fā)的發(fā)布PSRAM存儲芯片正式發(fā)布，同步開賣。存儲器

PSRAM也就是容量“低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器”，是紫光自研最大只元面向嵌入系統(tǒng)、消費電子、國芯IoT物聯(lián)網(wǎng)、發(fā)布可穿戴設備、存儲器端側AI產(chǎn)品打造的容量新型存儲方案。

它兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，紫光自研最大只元首發(fā)容量32Mb(4MB)、國芯64Mb(8MB)、發(fā)布128Mb(16MB)，存儲器采用BGA24L超薄封裝，容量同時支持KGD。

紫光國芯PSRAM芯片尺寸緊湊，支持業(yè)界最高速度400MHz，傳輸速率提升至1066Mbps，可實現(xiàn)最高17.06Gb/s的高帶寬性能，還支持在線動態(tài)可配置X8、X16模式，適配不同應用的需求。

為滿足對長續(xù)航的嚴苛需求，紫光國芯PSRAM支持包括Half Sleep在內的低功耗設計，已上市產(chǎn)品支持1.62-1.98V電壓范圍，包括1.8V低壓供電，即將上市的256Mb(32MB)大容量版本還支持1.8/1.2V雙壓、動態(tài)變壓0.9V等超低功耗模式。

此外，它還支持從-40℃到105℃的工規(guī)級寬溫域的高可靠性。

價格方面，32Mb版本16元，128Mb版本25元。

購買鏈接：天貓(16元)

本文來源：http://www.iv82.cn/news/87b39699516.html

版權聲明：本文內容由互聯(lián)網(wǎng)用戶自發(fā)貢獻，該文觀點僅代表作者本人。本站僅提供信息存儲空間服務，不擁有所有權，不承擔相關法律責任。如發(fā)現(xiàn)本站有涉嫌抄襲侵權/違法違規(guī)的內容，請發(fā)送郵件舉報，一經(jīng)查實，本站將立刻刪除。