5月29日消息，慘臺近日，積電句話界最臺積電重申，太驚臺1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，人世目前找不到非用不可的先進(jìn)理由。

臺積電在阿姆斯特丹舉行的刻機(jī)歐洲技術(shù)研討會上重申了其長期以來對下一代高NA EUV光刻設(shè)備的立場。該公司的只賣下一代工藝技術(shù)，包括A16（1.6納米級）和A14（1.4納米級）工藝技術(shù)，慘臺不需要這些最高端的積電句話界最光刻系統(tǒng)。

因此，太驚臺臺積電不會在這些節(jié)點(diǎn)上采用高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備。人世

“人們似乎總是先進(jìn)對臺積電何時會使用高數(shù)值孔徑 (High-NA) 感興趣，我認(rèn)為我們的刻機(jī)答案很簡單，”臺積電副聯(lián)席首席運(yùn)營官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級副總裁張曉強(qiáng) (Kevin Zhang) 在活動上表示。只賣

“只要我們發(fā)現(xiàn)高數(shù)值孔徑 (High-NA) 能夠帶來有意義的慘臺、可衡量的效益，我們就會采用。對于A14 來說，我之前提到的性能提升在不使用高數(shù)值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)正在持續(xù)尋找延長現(xiàn)有EUV壽命的方法，同時獲得微縮優(yōu)勢。”

臺積電的A14工藝基于其第二代納米片環(huán)柵晶體管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。

據(jù)臺積電稱，A14 在相同功率和復(fù)雜度下性能提升高達(dá)15%，或在相同頻率下功耗降低25%至30%。

“這是我們技術(shù)團(tuán)隊(duì)的一項(xiàng)偉大創(chuàng)新，”張曉強(qiáng)說。“只要他們繼續(xù)尋找方法，顯然我們就不必使用高數(shù)值孔徑EUV。最終，我們會在某個時候使用它。只是我們需要找到一個合適的攔截點(diǎn)，提供最大的效益，實(shí)現(xiàn)最大的投資回報。”

據(jù)了解，ASML最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)光刻機(jī)，單價高達(dá)4億美元，如此高昂的價格讓很多廠商望而卻步。

截止目前，ASML已向客戶交付總共5臺，包括Intel、三星。其重達(dá)180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備之一。

2023年12月，Intel率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機(jī)

本文來源：http://www.iv82.cn/news/78c9599826.html

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