7月7日消息，臺(tái)積推進(jìn)據(jù)媒體報(bào)道，電退英飛凌宣布其在12英寸（300mm）晶圓上的出英產(chǎn)可擴(kuò)展氮化鎵（GaN）生產(chǎn)技術(shù)已成功步入正軌。公司計(jì)劃于2025年第四季度開始向客戶提供首批樣品。飛凌

英飛凌強(qiáng)調(diào)，擴(kuò)展其作為垂直整合制造商（IDM）的圓生生產(chǎn)策略，能夠確保更高質(zhì)量的臺(tái)積推進(jìn)產(chǎn)品、更快的電退上市時(shí)間以及出色的設(shè)計(jì)和開發(fā)靈活性。

公司掌握了在硅（Si）、出英產(chǎn)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關(guān)鍵材料上進(jìn)行300mm晶圓生產(chǎn)的飛凌技術(shù)。GaN半導(dǎo)體因其更高的擴(kuò)展功率密度、更快的圓生開關(guān)速度和更低的功率損耗優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)更緊湊的臺(tái)積推進(jìn)設(shè)計(jì)，從而顯著降低智能手機(jī)充電器、電退太陽(yáng)能逆變器、出英產(chǎn)工業(yè)及人形機(jī)器人等電子設(shè)備的能耗和發(fā)熱。

英飛凌是全球首家成功在現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施中開發(fā)出300mm GaN晶圓技術(shù)的半導(dǎo)體制造商。與當(dāng)前主流的200mm晶圓相比，300mm晶圓生產(chǎn)技術(shù)更先進(jìn)、效率更高，更大的晶圓直徑使每片晶圓的芯片產(chǎn)量提升至原來(lái)的2.3倍。

與此同時(shí)，有傳聞稱晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）將退出GaN晶圓代工市場(chǎng)，其位于中國(guó)臺(tái)灣新竹的相關(guān)產(chǎn)線將停止生產(chǎn)。

臺(tái)積電已向DigiTimes證實(shí)此消息，表示經(jīng)過全面評(píng)估后，基于市場(chǎng)狀況和公司長(zhǎng)期業(yè)務(wù)策略的考量，決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)。臺(tái)積電表示正與客戶緊密合作，以確保在過渡期內(nèi)順利完成業(yè)務(wù)交接。

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